RTP-300RL 是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，以红外可见光加热单片 Wafer 或样品，工
艺时间短，控温精度高，适用 4-12 英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系统和其他 RTP 系统，其*特的腔
体设计、先进的温度控制技术和*有的 RL900 软件控制系统，确保了较好的热均匀性。
1.2 产品特点
红外卤素灯管加热，冷却采用风冷
灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性
采用平行气路进气方式，气体的进入口设置在 Wafer 表面，避免退火过程中冷点产生，保证产品良好
的温度均匀性
大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理
标配两组工艺气体，较多可扩展至 6 组工艺气体
可测单晶片样品的较大尺寸为 12 英寸（
300×300mm）
采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，***
仪器使用安全
1.3 RTP 行业应用
氧化物、氮化物生长
硅化物合金退火
化镓工艺
欧姆接触快速合金
氧化回流
其他快速热处理工艺
2.1 参数
RTP-RL300
产品尺寸
4-12 英寸晶圆或者较大支持 300×300mm 产品
其中兼容 4 寸 9 片与 6 寸 4 片晶圆
腔体材质
镀金铝制腔体
温度范围
室温~1200℃（＞800℃采用非接触式温度计控温）
升温速度
150℃/s 可编程（此温度为不含载盘的升温速度）
温度均匀度
±5℃≤500℃，±1%＞500℃
温度控制重复性
±1℃
恒温持续时间
可依据要求编程
控温区域
多组控温区域，保证恒温区温度稳定性
温控方式
快速 PID 温控
降温速度
约 200℃/min（1000~400℃）不可编程
腔体设计
可配置大气常压腔体或者真空腔体
真空泵
风冷式干泵
腔体冷却方式
水冷腔体，独立水冷源控制冷却
冷水机配置
**选择瑞乐百德公司配置的冷水机，或者使用厂务用水
衬底冷却方式
氮气吹扫
工艺气体
MFC 控制，常规三路气体（N2 / O2 / GN2）
控制方式
工业电脑+PC control
四、选配清单
温度校准
TC Wafer 及温度校准工具（选配）
Wafer 托盘
SiC（选配，升温速度控制较高 25℃/min）
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