Trymax-NEO200A去胶机NEO2000化合物去胶NEO3000硅基干法去胶

主要涉及CMOS、功率、射频、MEMS、LED以及晶圆级封装技术等生产制造的公司，可以从我们的解决方案中获益。NEO系列可处理各种类型的半导体材料、晶圆尺寸和厚度。主要集中在：

· 去胶、预处理、光蚀刻、表面处理和清洁

· 紫外光刻胶固化与晶圆器件电荷擦除

去胶、预处理、蚀刻、表面处理和清洁

Trymax提供用于去胶、预处理、光蚀刻、表面处理和清洁的等离子反应腔，工艺过程采用干燥和环保的工艺。

去胶：包括剥离光刻胶, 去胶过程通常在离子注入或蚀刻后进行。

预处理：去除晶圆上残留的光刻胶或聚酰，应用于晶圆制造前段或晶圆级封装。

蚀刻：材料如Si3N4，SiO2和多晶硅等各向同性蚀刻。具有较高的性价比。

表面改性：在湿法蚀刻前进行表面活化，以改善蚀刻工艺步骤。在沉积前提高表面附着力等方面的应用。

清洁：多种清洁方式。例如，等离子体清洗可以在湿法蚀刻完成清洗步骤之后进行，或者在干燥后从空腔或通孔中去除一些残留聚合物之后进行。

Trymax NEO 200A系列

NEO 200A是Trymax半导体设备去胶和蚀刻产品且为小占地面积的单腔。它是一个完全自动化的单腔系统且可以配置当前任何可用的Trymax NEO工艺模块，它与直径达200mm的衬底兼容并且这款小尺寸的NEO 200A配有两个上料台。

特性

- 100/150/200mm衬底尺寸

-双卡塞上料台

-4轴双臂机器人操作

-提供3种不同的工艺室：

- 微波下游（2.45GHz）

-射频偏压（13.56 MHz）

-双电源（微波、射频偏压）

-机台产量>100wph

-较小的占地面积

-较低的拥有成本

-全数字控制，设备网-以太网

-基于Windows的工业计算机

应用：

-整体抗蚀剂，LDI抗蚀条

-预处理加工

-聚合物去除

-大剂量后植入条

-氮化硅/碳化硅蚀刻应用

- TaSi蚀刻

-MEMS应用

-高级包装加工（PR、PI、BCB、PBO）

-射频滤波器BAW/SAW抗蚀处理

Trymax NEO 2000系列

NEO 2000生产线是来自Trymax半导体设备的一种先进的等离子去胶/蚀刻系统，采用了的光刻胶去除技术，以较具竞争力的价格提供的设备性能。NEO 2000专门设计用于直径为100mm至200mm的基片上。

它配备了一个**快速传输平台，灵活可配置，且可同时处理不同尺寸的基片，*更换硬件。NEO 2000系列具有紧凑的模块化设计，可提供高生产量，以实现的拥有成本。

特性

- 衬底尺寸可配置100/150/200mm

- 3或4个Loadport 或2个集成SMIF 的 Loadport

-5轴双臂机器人，需使用特定的衬底夹持器进行操作

-可提供3种不同的工艺室技术：

- 微波源 2.45GHz）

- 射频源 13.56 MHz）

- 双电源（微波、射频偏压）

- 机械传片率200wph

-较小的占地面积

-较低的拥有成本

-全数字控制，设备网-以太网

-基于Windows的工业计算机

应用

- 光阻灰化，LDI后光刻胶去除

- 预处理加工

- 聚合物去除

- 大剂量离子注入后光阻去除

- 氮化硅和碳化硅刻蚀

- TaSi蚀刻

- MEMS（微电子机械系统）应用

- 先进封装工艺 PR、PI、BCB、PBO）

-射频滤波器BAW/SAW工艺中的光阻去除

NEO 3000

NEO3000是Trymax 公司NEO系列中已被长期使用的机台，用于先进的等离子灰化和蚀刻工艺。

NEO3000已为您的高产能做好了准备，它适应半导体生产每一个阶段和预算。NEO3000系列可以搭配任意现有的NEO工艺模块并且可以支持直径为300毫米的基片。它采用模块化设计，体积小，占地面积小，可根据您的需要灵活搭配。NEO3000系列可兼容直径为200毫米及300毫米的基片。

特性

-支持直径为200和300毫米的基片

-支持2个SMIF上料台。

-全自动5轴双手臂传送机械臂

-支持3种不同的工艺腔室：

-微波下游（2.45GHz）

-射频偏压（13.56MHz）

-双电源系统（微波+射频偏压）

-机械产能>300片/小时

-较小的占地面积

-较低的拥有成本

-完全数控化机台：DeviceNET通讯及以太网通信

-基于windows平台的工业计算机

-晶圆冷却平台及缺口校准器